[发明专利]一种热氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法在审
申请号: | 202010767163.8 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN111933750A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 韩超;王森栋;赵晨;戴大洲 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及SE—PERC太阳能电池生产领域。一种热氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法,在硅片双面形成绒面;在硅片表面进行磷扩散,磷扩散后硅片方阻为100‑170Ω/sq;在硅片正面进行激光重掺杂,完成后,硅片重掺杂区域方阻与未掺杂区域方阻差值为30‑70Ω/sq;在硅片正面重掺杂区形成热氧化二氧化硅保护层,二氧化硅保护层厚度为1.0‑4.0nm;去除硅片背面磷硅玻璃;对硅片背面进行碱抛光;对硅片进行氧化处理;在硅片正面沉积氮化硅膜;在硅片背面沉积钝化膜;对硅片背面进行激光开膜;在硅片背面印刷背电极银浆、背电场铝浆,正面印刷正电极银浆;进行高温烧结,形成硅基电池;烧结完成后的硅基电池进行电注入。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 抛光 se perc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的