[发明专利]一种碳膜包覆的三维集流体的制备方法在审
申请号: | 202010750488.5 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111916755A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 张自博;刘兆平;周旭峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01M4/66 | 分类号: | H01M4/66;H01M4/74;H01M4/04;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种碳膜包覆的三维集流体的制备方法,包括:S1)采用三电极体系,以三维集流体为工作电极,在包含高分子前驱体的电解液中进行电化学聚合,得到高分子包覆的三维集流体;S2)将所述高分子包覆的三维集流体进行高温碳化,得到碳膜包覆的三维集流体。与现有技术相比,本发明通过电聚合再碳化的方式实现在三维集流体上进行界面修饰,实现在三维集流体上形成有利于形成稳定SEI膜的导电高分子材料,并通过碳化过程使三维集流体与碳膜之间形成一定的空间,缓解膨胀,可限域金属锂的沉积,并且锂沉积在限域空间内有碳膜的阻隔,可减少锂与电解液的接触;同时,可通过浓度、电聚合条件调节碳膜前驱体的厚度,从而调节碳膜厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳膜包覆 三维 流体 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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