[发明专利]基于非晶硅薄膜的光突触器件及制备方法和工作方法有效

专利信息
申请号: 202010748348.4 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN111863988B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 李伟;田伟;陈鹏宇;伊海;李东阳;李春梅;蒋向东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/0376 分类号: H01L31/0376;H01L31/20;G06N3/067
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法,该器件以不同能量的光信号作为激励源,以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位,在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子,利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化,以器件的光电流响应模拟突触后电流,实现不同颜色即能量的识别,从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能,巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂键为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化,实现器件的突触功能,本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si‑CMOS工艺兼容等特点,还具有颜色识别能力,可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。
搜索关键词: 基于 非晶硅 薄膜 突触 器件 制备 方法 工作
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010748348.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top