[发明专利]基于非晶硅薄膜的光突触器件及制备方法和工作方法有效
申请号: | 202010748348.4 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111863988B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 李伟;田伟;陈鹏宇;伊海;李东阳;李春梅;蒋向东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0376 | 分类号: | H01L31/0376;H01L31/20;G06N3/067 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法,该器件以不同能量的光信号作为激励源,以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位,在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子,利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化,以器件的光电流响应模拟突触后电流,实现不同颜色即能量的识别,从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能,巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂键为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化,实现器件的突触功能,本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si‑CMOS工艺兼容等特点,还具有颜色识别能力,可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 非晶硅 薄膜 突触 器件 制备 方法 工作 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的