[发明专利]一种γ-Ga2在审

专利信息
申请号: 202010745842.5 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN112010342A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 杨为佑;张冬冬;余浩 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00;B82Y40/00
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 王玲华;洪珊珊
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供的一种新颖γ‑Ga2O3纳米片的制备方法,包括:使用超声波处理包括镓单质、水和有机溶剂的混合物的步骤。该制备工艺和设备要求简单、材料成本低廉、实验参数少,且实验条件温和,无需额外施加热源和压力,在常温常压条件下即可快速制备毫克级至几十千克级γ‑Ga2O3纳米片。
搜索关键词: 一种 ga base sub
【主权项】:
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