[发明专利]晶体静态电容抵消电路在审
| 申请号： | 202010734479.7 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111835286A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 方修成;王占奎;刘兰坤;徐淑壹;要志宏;陈中平;逄杰;吴立国;杨璋娟;狄世杰;杨慧聪;赵玮娜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/30 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体静态电容抵消电路，包括：隔直模块和静态电容抵消模块，其中所述静态电容抵消模块包括隔直单元；所述隔直模块适于与晶体的第一端连接，还与所述抵消模块连接，用于与晶体振荡器的晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离；所述静态电容抵消模块，用于增大振荡电路的负阻，其中，所述隔直单元适于与所述晶体的第二端连接，用于与所述晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离。本发明通过对静态电容抵消模块中的电阻和电容进行调试，可以增大晶体振荡芯片电路的负阻，使晶体振荡器维持稳定可靠的振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 静态 电容 抵消 电路 | ||
【主权项】：
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