[发明专利]基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法在审
| 申请号： | 202010734350.6 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112098788A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李本正;游海龙;李文臻;曲程 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L29/872;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法，其特征在于，包括：获取第一SiC JBS二极管的初始电流与电压关系曲线、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管的电流施加预设次数的半正弦浪涌脉冲得到第二SiC JBS二极管；获取第二SiC JBS二极管的电流与电压关系曲线、噪声特性参数；得到电流与电压关系曲线的漂移程度和噪声特性参数漂移程度。本发明能够更敏感、更准确、更快速地表征SiC JBS二极管的浪涌损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 噪声 测试 表征 sic jbs 浪涌 能力 方法 | ||
【主权项】：
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