[发明专利]用于IGBT短路保护的基准电压产生电路及方法有效

专利信息
申请号: 202010729660.9 申请日: 2020-07-27
公开(公告)号: CN111864701B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 王伟;黄辉;傅俊寅;汪之涵 申请(专利权)人: 深圳青铜剑技术有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/00;H02H3/08
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 郑姣
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用于IGBT短路保护的基准电压产生电路,包括开关控制模块、第一放电模块、第二放电模块、基准电压输出模块及状态检测模块。开关控制模块分别与第一放电模块、第二放电模块、基准电压输出模块及状态检测模块连接。状态检测模块检测IGBT的短路状态,并根据检测结果发出检测信号。所述开关控制模块根据检测信号导通或截止第一放电模块及第二放电模块与基准电压输出模块之间的电连接,以使得基准电压输出模块输出端的电压在IGBT不同状态下以不同速率放电,从而产生适合IGBT栅极电压下降速率的基准电压。本发明还提供一种用于IGBT短路保护的基准电压产生方法。如此,可产生波形理想、稳定可靠的基准电压。
搜索关键词: 用于 igbt 短路 保护 基准 电压 产生 电路 方法
【主权项】:
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