[发明专利]LDMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010723952.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111668299A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;令海阳;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件的制造方法，通过在半导体衬底内形成第一导电类型的漂移区；然后，在所述半导体衬底上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出部分所述漂移区；接着，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对暴露出的所述漂移区执行离子注入工艺，以形成第二导电类型的阱区。即所述阱区位于所述漂移区内，在形成所述阱区和所述漂移区的过程中，只需要通过所述图形化的光刻胶层定义所述阱区的位置，因此，可以减少一次图形化的光刻胶层的图形对准，由此，可以减少阱区与漂移区之间的位置偏离，从而可以减少两者之间的套刻误差，进而可以提高LDMOS器件的导电沟道长度、阈值电压和漏电流的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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