[发明专利]一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010720981.2 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111900250A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈欣彤;申达琦;王宇;童祎;连晓娟;万相 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器的结构包括由下至上按序依次层叠设置的硅衬底、底电极层以及顶电极层，在所述底电极层与所述顶电极层二者之间设置有阻变层且二者通过所述阻变层实现分隔；所述阻变层的材质为碳化钒。本发明丰富了二维过渡金属材料忆阻器的种类，对类脑器件模拟神经元以及神经突触的相关研究起到了很大的推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 过渡 金属材料 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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