[发明专利]一种改善带场板的LDMOS制程工艺的方法有效
| 申请号： | 202010718128.7 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113972265B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴栋华;石新欢 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善带场板的LDMOS制程工艺的方法，包括步骤：提供衬底并在衬底上形成栅极；在栅极上沉积第一氧化层；在第一氧化层上沉积场板；在场板上沉积第二氧化层；在第二氧化层上覆盖光阻并进行显影，然后对第二氧化层进行蚀刻；对场板进行蚀刻；形成带场板的LDMOS。通过本发明改善带场板的LDMOS制程工艺的方法，本发明在场板沉积以后再沉积或增加氧化层改善了场板阶梯高低太大的问题，该增加的氧化层可作为硬掩膜保护需要留下的场板的区域，从而可以延长蚀刻时间以确保不会有残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 带场板 ldmos 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，未经和舰芯片制造（苏州）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010718128.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：燃料电池单电池
- 下一篇：一种被用于无线通信的通信节点中的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
