[发明专利]多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010717931.9 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111725058A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李泓博;高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法，所述多晶硅薄膜形成方法应用于半导体领域。该方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成掺碳的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层组成所需的多晶硅薄膜。由于在本发明实施例中，在保持半导体结构中多晶硅薄膜材质结构不变的基础上，将多晶硅薄膜从现有技术中的一层结构变为两层结构，且顶层为含有碳离子的掺杂多晶硅层。由于掺有碳离子的多晶硅层对多晶硅薄膜表面具有抑制和细化的作用，从而抑制了多晶硅薄膜发生表面形核异常，降低了其表面产生异常生长的大晶粒的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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