[发明专利]单晶炉主腔室上部导热系统及其控制方法在审
| 申请号： | 202010717527.1 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111876824A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赖章田;贺贤汉;夏孝平;刘海;徐淑文;曹豪杰 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了单晶炉主腔室上部导热系统及其控制方法。单晶炉上部导热系统，包括一升降水冷环，升降水冷环包括进水管、出水管以及环状体，进水管以及出水管左右相对设置在环状体的上方，环状体内设有用于冷却水途径的导流通道，导流通道的一端与进水管对接导通，导流通道的另一端与出水管对接导通；还包括带动升降水冷环升降运动的升降机构，升降机构安装在炉盖上，进水管以及出水管穿过炉盖与升降机构传动连接，还包括热屏，热屏与环状体可拆卸连接。通过单晶炉上部导热系统有效提高拉晶速率，缩短晶棒生长时间。加装上部导热系统后，15‑18寸单晶棒的等径生长平均拉速提高到0.3‑0.5mm/min，可以获得高收率、高品质的晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉主腔室 上部 导热 系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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