[发明专利]一种锗硅图像传感器、采集模组及TOF深度相机有效
| 申请号： | 202010699707.1 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111885321B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王飞;马成;王兆民;王欣洋 | 申请（专利权）人： | 深圳奥辰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/63 | 分类号： | H04N25/63;H04N25/779;H04N25/78 |
| 代理公司： | 深圳汉世知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44578 | 代理人： | 田志立 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅图像传感器，包括由多个像素构成的像素阵列；其中，所述像素包括：读入单元、缓冲直接注入结构单元、解调单元、以及读出单元；所述读入单元包括锗光电二极管，被配置为将入射至传感器的光信号转换为电荷信号；所述缓冲直接注入结构单元与所述锗光电二极管连接，被配置为减小所述电荷信号的输入阻抗和提供稳定的偏压，并将所述电荷信号传输至所述解调单元；所述解调单元，被配置为使所述电荷信号根据多个曝光控制晶体管分别生成多个电压信号；所述读出单元被配置为读取所述电压信号。本发明锗硅图像传感器可以降低读出电路的输入电阻、提高注入效率，同时实现稳定的偏置电压，且降低暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 采集 模组 tof 深度 相机 | ||
【主权项】：
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