[发明专利]一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法有效
| 申请号： | 202010697019.1 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111863569B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 冯琤;刘健;张益军;钱芸生;宋宇飞;赵静 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01J9/50 | 分类号： | H01J9/50;H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙) 32300 | 代理人： | 郑宜梅 |
| 地址： | 211167 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至首个铯峰的80%~85%时，打开氟源，同时铯源保持开启，量子效率再次开始上升，直到达到第二个峰值；关闭氟源，量子效率开始下降，当量子效率到达谷底时，关闭铯源，量子效率会转而上升到第3个峰值，然后保持比较好的稳定性；3再次将GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行加热处理，并重复步骤2后，结束激活过程。本发明可以得到量子效率高、稳定性更好的GaAs光电阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 砷化镓 光电 阴极 发射 性能 激活 方法 | ||
【主权项】：
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