[发明专利]一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路有效
| 申请号： | 202010677209.7 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111880763B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;陈中伟;彭春雨;卢文娟;黎轩;吴秀龙;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G06F7/523 | 分类号： | G06F7/523;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;韩珂 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路，通过将多个乘数存入一列单元中，多个被乘数通过SRAM的字线WL输入，与单元内的相应的乘数进行乘法运算，再将每组乘得的结果累加在位线上，可直接通过位线电压得出乘加的结果。另外添加了一列参考列以判断计算结果是正数还是负数，以实现正负数的乘法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内存 实现 带有 负数 sram 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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