[发明专利]一种TOPCon电池绕镀多晶硅的去除方法及应用

摘要

本发明公开了一种TOPCon电池绕镀多晶硅的去除方法及应用，包括：获得正面覆盖有硼发射极和BSG、背面抛光的硅衬底；在背面制作遂穿氧化层；利用LPCVD在所述硅衬底上双面沉积非晶硅层；磷扩散退火将背面的非晶硅层晶化成掺磷多晶硅层，并在掺磷多晶硅层的表面形成PSG；去除位于硅衬底正面和侧面的绕镀多晶硅层表面的PSG；去除绕镀多晶硅层；去除正面BSG及背面PSG。本发明在背面沉积非晶硅层的同时也在正面和侧面沉积一层非晶硅层，解决了现有技术中绕镀非晶硅层在正面不均匀的现象，保护正面硼发射极不被破坏；大大降低了电池的漏电流；简化了工艺流程；不需要额外增加其他设备，降低了生产成本。