[发明专利]极紫外光刻设备有效
| 申请号： | 202010655788.5 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112213924B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | J-H·弗兰克;E·加拉赫 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱盛赟;杨洁 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种极紫外光刻EUVL设备(20)，包括：掩模版(220)，其包括要被成像在目标晶片(250)上的光刻图案；安装在掩模版(220)之前并与之平行的透光式防护膜(232)，其中该防护膜(232)使透射光沿着优先散射轴(214)散射；以及被配置成穿过防护膜(232)照射掩模版(220)的极紫外(EUV)照明系统(210)；该EUVL设备(20)进一步包括：具有接受锥(260)的成像系统(240)，该接受锥被配置成捕获由掩模版(220)反射并随后透射穿过防护膜(232)的所述光的一部分，其中该成像系统(240)被配置成将所捕获的部分投射到目标晶片(250)上。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光刻 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会，未经IMEC非营利协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010655788.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
