[发明专利]一种适用于薄层超晶格材料的扫描电子显微镜检测方法在审
| 申请号： | 202010645524.1 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111595884A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王旺平;李倩 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于薄层超晶格材料的扫描电子显微镜检测方法，利用光刻胶回流工艺和干法刻蚀工艺在待测样品表面制备平滑斜面形貌，相比切割、解离方法暴露的剖面结构，平滑斜面形貌不仅可以在材料外延面呈现超晶格薄层结构，而且对薄层结构进行了几何放大；本方法通过光刻胶回流工艺制备的斜面角度θ，能提供1/sin(θ)的超晶格薄层尺寸放大倍数，由于该放大倍数源于材料自身，不损失超晶格薄层结构细节，不依赖扫描电子显微镜设备，因而可以有效提升纳米厚度超晶格薄层的扫描电镜显微图像质量，从而可以有效解决超晶格薄层厚度低于或临近扫描电子显微镜分辨率时超晶格结构显微图像不清晰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 薄层 晶格 材料 扫描 电子显微镜 检测 方法 | ||
【主权项】：
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