[发明专利]一种探测CMOS工艺偏差的传感器集成电路在审
| 申请号： | 202010636050.4 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111766506A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄果池 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R19/257 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种探测CMOS工艺偏差的传感器集成电路，包括工艺偏差检测电路、参考电压电路、迟滞比较器和编码电路，工艺偏差检测电路用于产生不随温度变化且只随工艺偏差变化的电压Vsen，电压Vsen反应CMOS工艺的变化情况；参考电压电路用于产生不随工艺和温度变化的参考电压，参考电压是由i个不同电压组成的电压组；迟滞比较器负责将工艺偏差检测电压Vsen与参考电压组的i个电压依次比较，得出一组数字信号，编码电路用于对迟滞比较电路的量化结果进行编码处理以供后级电路使用。本发明可精确判断出芯片的工艺偏差程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 cmos 工艺 偏差 传感器 集成电路 | ||
【主权项】：
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