[发明专利]硅太阳电池热辅助光诱导衰减加速装置在审
| 申请号： | 202010631387.6 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111755352A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 席曦;邵剑波;刘桂林 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅太阳电池热辅助光诱导衰减加速装置。其包括柜体以及处理支撑板，在处理支撑板上设置上料盒、下料盒以及加热台，在处理支撑板上方设置电池转移机构，还包括设置于柜体内平面光源、能对所述平面光源进行散热的光源散热机构以及设置于所述平面光源光路上的光源光学机构，平面光源通过光源光学机构能提供加热台上硅太阳电池处理所需的辐照强度；通过加热台能将置于所述加热台上的硅太阳电池加热至所需的温度，同时，通过平面光源能对加热台上加热后的硅太阳电池提供所需的辐照强度，以对硅太阳电池进行所需的热辅助光诱导衰减的处理。本发明能缩短热辅助光诱导衰减的时间，提高硅太阳电池的热辅助光诱导衰减检测的效率，降低生产以及检测的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 辅助 光诱导 衰减 加速 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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