[发明专利]薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片有效

专利信息
申请号: 202010616333.2 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111917482B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 钱广;孔月婵;陈堂胜 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H04B10/40 分类号: H04B10/40;G02F1/03
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 陈鹏
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片,属于集成微波光子技术领域,该芯片主要包括射频转换开关、低噪声放大器电路、功率放大器电路、激光器、电光调制器、光电探测器、光路转换开关和光延时器,实现了射频收发前端、电光/光电转换与光延时芯片的异构集成;各光芯片之间通过薄膜铌酸锂基光波导连接,光芯片与微波芯片之间通过金属凸点键合及通孔互连等工艺实现三维异构集成。该芯片可以实现基于光子技术的微波收发与波束控制功能,且具有小型化、集成度高、性能稳定等优点,满足微波光子雷达系统收发前端大规模阵列化应用需求。
搜索关键词: 薄膜 铌酸锂基异构 集成 微波 光子 收发 芯片
【主权项】:
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