[发明专利]一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法在审
| 申请号： | 202010614295.7 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111880378A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 顾晓文;郁鑫鑫;周建军;钱广 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法，包括如下步骤：对设计的初始版图进行处理，根据电子束曝光的剂量经验对同一步直写曝光的版图图层进行分层，相同剂量的列为一层，每个图形分割为3个图层，对于相邻的图形则分为两组单独的3个图层；在衬底材料上依次涂覆黏附剂、电子束光刻胶和导电胶；采用分层处理的版图进行电子束直写程序编制，并进行直写曝光；利用显影制备出电子束胶的掩膜图形，实现图形的精确加工。本发明采用简单布尔运算方法实现版图的分层处理，并采用不同的剂量进行电子束直写曝光，实现图形的精确加工；在涂胶上针对电子束工艺，增加一层导电胶，有效解决衬底材料的导电性差的问题，同时降低直写过程中的荷电效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电子束 曝光 邻近 效应 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010614295.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
