[发明专利]一种新型薄层二硫化钼场效应晶体管

摘要

本发明属于半导体电子器件领域，具体涉及一种基于薄层二硫化钼(MoS2)导电沟道的新型场效应晶体管。该场效应晶体管包括源极、漏极、栅极、栅介质、导电沟道和金属焊盘。源极和漏极为石墨烯，栅极为重掺杂硅衬底，栅介质为AlN薄膜，导电沟道为薄层MoS2。相比之前的同类器件，本发明具有如下优点：相比传统的SiO2薄膜栅介质，AlN薄膜具有更大的介电常数和热导率，不仅能显著提高场效应晶体管栅极对导电沟道中载流子输运的调控能力，并且能将导电沟道中产生的热量快速耗散，抑制场效应晶体管的自热效应。相比金属材料，石墨烯作为源极和漏极能有效减小源极和漏极与薄层MoS2之间的接触电阻。