[发明专利]一种巨磁电阻磁单极开关传感器在审
| 申请号： | 202010594967.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111769192A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;李光耀;姜杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;G01D5/14;G01R33/09 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁传感技术，具体为一种巨磁电阻磁单极开关传感器，利用双钉扎结构实现磁单极开关传感器的方法。本发明将存储领域的双钉扎自旋阀结构作为传感单元，利用其双交换偏置的交换偏置场可以较大范围调制的优点，替代现有技术中采用的只能较小范围改变的耦合场，使基于巨磁电阻实现的磁单极开关更加容易设计以及满足更大开关场应用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 单极 开关 传感器 | ||
【主权项】：
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