[发明专利]一种均匀亚纳米孔分布的二维碳片电极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010587749.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111816452A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 周江奇;龙志;唐伟 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/34;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种均匀亚纳米孔分布的二维碳片电极材料的制备方法，属于二维碳片电极材料制备技术领域，包括以下步骤：1)将钾盐于650～850℃下进行水热反应2～4h；2)待冷却至室温后，将步骤1)的热解产物洗至pH值为中性，烘干后制得均匀亚纳米孔分布的二维碳片电极材料。本发明运用一步碳化活化法直接制备均匀亚纳米孔分布的二维碳片，在制备过程中无需加入其他任何添加剂，这减少了反应步骤，节约了制备成本。并且该方法可以扩展至其他含钾盐，具有很好的普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 纳米 分布 二维 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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