[发明专利]基于自旋轨道矩的存储单元及其制造方法有效
申请号: | 202010583854.2 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN111682106B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 迟克群;孟皓 | 申请(专利权)人: | 浙江驰拓科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/06 | 分类号: | H01L43/06;H01L43/14;H01L27/22 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 孙峰芳 |
地址: | 311300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种基于自旋轨道矩的存储单元及其制造方法。所述基于自旋轨道矩的存储单元包括:磁性隧道结,所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、势垒层和参考层;水平自旋轨道矩效应层,所述水平自旋轨道矩效应层与所述自由层的底面接触;竖直自旋轨道矩效应层,所述竖直自旋轨道矩效应层覆盖于所述自由层的一个侧壁。本发明提供的基于自旋轨道矩的存储单元在无需外部磁场的情况下能够实现自由层磁化方向的确定性翻转。 | ||
搜索关键词: | 基于 自旋 轨道 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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