[发明专利]基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010577647.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112180695A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 大塚幸信 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质。基片热处理装置包括：能够对形成有覆膜的基片进行支承和加热的加热部；将所述加热部上的处理空间与外部空间隔开的腔室；外周排气部，其在比所述基片的周缘靠外侧的位置具有朝向所述处理空间内的开口，以将所述处理空间内的气体排出；和排气控制部，其伴随所述加热部对所述基片的加热时间的经过，而增加所述外周排气部所排出的所述气体的排出量。根据本发明，能够有效地兼顾热处理对象的覆膜的膜厚均匀性和由热处理所产生的升华物的回收的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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