[发明专利]基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质

说明书

本发明提供一种基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质。基片热处理装置包括：能够对形成有覆膜的基片进行支承和加热的加热部；将所述加热部上的处理空间与外部空间隔开的腔室；外周排气部，其在比所述基片的周缘靠外侧的位置具有朝向所述处理空间内的开口，以将所述处理空间内的气体排出；和排气控制部，其伴随所述加热部对所述基片的加热时间的经过，而增加所述外周排气部所排出的所述气体的排出量。根据本发明，能够有效地兼顾热处理对象的覆膜的膜厚均匀性和由热处理所产生的升华物的回收的可靠性。

技术领域

本发明涉及基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质。

背景技术

专利文献1中公开了一种加热处理装置，其包括：设置于处理容器内的用于载置基片的载置部；载置于载置部的用于加热基片的加热部；和在比载置部上的基片靠外侧处沿周向设置的、用于对处理容器内进行排气的外周排气口。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-115919号公报。

发明内容

本发明提供一种能够有效地兼顾热处理对象的覆膜的膜厚均匀性和由热处理所产生的升华物的回收的可靠性的基片热处理装置。

本发明的一方面的基片热处理装置包括：能够对形成有覆膜的基片进行支承和加热的加热部；将所述加热部上的处理空间与外部空间隔开的腔室；外周排气部，其在比所述基片的周缘靠外侧的位置具有朝向所述处理空间内的开口，以将所述处理空间内的气体排出；和排气控制部，其伴随所述加热部对所述基片的加热时间的经过，而增加所述外周排气部所排出的所述气体的排出量。

依照本发明，能够提供一种可有效地兼顾热处理对象的覆膜的膜厚均匀性和由热处理所产生的升华物的回收的可靠性的基片热处理装置。

附图说明

图1是例示基片处理系统的概要结构的示意图。

图2是例示热处理单元的概要结构的示意图。

图3是例示控制部的硬件结构的区块图。

图4是例示基片热处理工序的流程图。

图5是表示从接收晶片起到将其设置于加热部为止的热处理单元的状态的示意图。

图6是表示根据加热时间而增加外周排气部对处理空间内的开口面积的热处理单元的示意图。

图7是表示热处理单元的变形例的示意图。

图8是例示图7的热处理单元的动作的示意图。

附图标记说明

2…涂敷显影装置(基片热处理装置)，20…加热部，30…腔室，31、60…周壁，32…顶板，34…处理空间，35…外部空间，40、70…外周排气部，41、42、43…开口部，50…开口面积变更部，51…升降驱动部，90…排气管，112…排气控制部，W…晶片(基片)。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明实施方式。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

(基片处理系统)