[发明专利]纳米氧化物F的制备方法、耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010576028.5 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112011198B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨继明;刘贺;曾彩萍;金鹰 | 申请（专利权）人： | 中天电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09C3/12 | 分类号： | C09C3/12;C09C1/40;C09C1/30;C07F7/18;C08K9/06;C08K3/22;C08K3/36;C08L79/08;C08J5/18 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 徐丽;许春晓 |
| 地址： | 226010 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种纳米氧化物F的制备方法和耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明通过对纳米氧化物E以含1,3‑二羰基基团的硅烷偶联剂D进行表面修饰改性，得到的纳米氧化物F与聚酰胺酸树脂溶液具有高相容性，解决了受限于纳米氧化物的添加量低和分散均匀性差而导致的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能和力学性能不理想的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化物 制备 方法 电晕 聚酰亚胺 薄膜 | ||
【主权项】：
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