[发明专利]一种晶体与晶体托的分离方法有效
| 申请号： | 202010574084.5 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111690986B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种晶体与晶体托的分离方法，其特征在于，将需要分离的晶体及与其固定的晶体托放入高温氧化炉中，向所述高温氧化炉中通入含氧气体，进行碳氧化反应，即可将晶体与晶体托分离。本申请提供的晶体与晶体托的分离方法，利用高温将固态石墨氧化为气态的二氧化碳，从而成功分离生长后的晶体和石墨。本申请的晶体与晶体托的分离方法简单易行，成本低。采用非机械方法分离晶体与晶体托，减少了传统方法所带来的风险。本申请的分离方法对晶体自身无损，简单有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 分离 方法 | ||
【主权项】：
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