[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010565331.5 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112117323A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 朴慧圣;裵珍宇;高荣浩;朴钟爀;尹普彦;蒋明在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010565331.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于确定至少一个连接组件的连接状态的方法
- 下一篇：磁芯
- 同类专利
- 专利分类
