[发明专利]一种铅氧族化合物二聚体纳米晶、导电薄膜及制备方法与应用在审
申请号: | 202010562062.7 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111762809A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 马万里;卢坤媛;刘泽柯 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C01G21/21 | 分类号: | C01G21/21;C01B19/04;B05D7/24;B05D1/00;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种铅氧族化合物二聚体纳米晶、导电薄膜及制备方法和应用。利用铅试剂、有机酸和1‑十八烯制备铅前驱体;利用二(三甲基硅烷基)氧族化合物、1‑十八烯与得到的铅前驱体进行反应,对得到的溶液进行冷冻处理后,再通过后处理得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。本发明提供的铅氧族化合物二聚体纳米晶在沉积薄膜过程中能使纳米晶的排列更加无序,避免晶界的形成,可以进一步避免后续配体交换过程中裂缝的形成。利用本发明提供的制备方法,可以大幅简化纳米晶太阳能电池器件的制备工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 铅氧族 化合物 二聚体 纳米 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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