[发明专利]GaN基LED器件电极结构及LED器件在审
| 申请号： | 202010561343.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111640836A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01L33/32 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;黄家豪 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种GaN基LED器件电极结构及LED器件。该GaN基LED器件电极结构，包括：一衬底；一氮化物异质结构层，其设置于所述衬底上；一自扩散接触电极结构层，其设置于所述氮化物异质结构层上；所述自扩散接触电极结构层为预设金属元素的氮化物材料形成，所述自扩散接触电极结构层中的预设金属元素的浓度大于预设值；一透明电极结构层，其设置于所述自扩散接触电极结构层上；一金属电极结构层，其设置于所述透明电极结构层上。本申请可以利用高浓度的金属元素降低p型氮化物的功函数，最终实现降低LED的p型电极的接触电阻，从而提高LED器件的光输出功率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 器件 电极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山紫熙慧众科技有限公司，未经佛山紫熙慧众科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010561343.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种安装在卧式容器内的换热器
- 下一篇：一种电力拉线金具
