[发明专利]包括可变电阻元件的半导体器件在审
| 申请号： | 202010559840.7 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993154A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 韩在贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/54;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种包括可变电阻器件的半导体器件。根据本公开的一个实施例的可变电阻元件包括：离子接收层，其具有顶部、底部和将顶部与底部连接的侧壁；离子供给层，其具有与离子接收层的侧壁的至少一部分连接的内侧壁；栅极图案，其连接到离子供给层的外侧壁；以及源极图案，其与离子接收层的顶部或底部之一连接，和漏极图案，其与离子接收层的顶部或底部中的另一个连接，其中离子接收层的电阻根据基于施加到栅极图案的电压而从离子供给层供应的离子的量来变化。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可变 电阻 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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