[发明专利]一种纳米铋表面等离子体增强复合光电极的激光诱导制备在审
申请号: | 202010552379.2 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN113809199A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 青岛农业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B22F1/00;B22F9/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266109 山东省青岛市城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本文公开发明了一种基于铋离子掺杂聚砜类聚合物膜的激光诱导纳米铋‑三维多孔石墨烯等离子增强复合光电极制备方法,它采用激光诱导制备方式。首先将制备激光诱导纳米铋所需的铋离子前驱体溶解至N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中,然后加入聚砜类聚合物持续进行磁力搅拌直至溶解,将得到的粘性溶液旋转涂膜至氧化铟锡导电玻璃表面,经真空干燥后,使溶剂蒸发,即在氧化铟锡导电玻璃表面形成铋离子‑聚砜类聚合物复合膜,利用CO |
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搜索关键词: | 一种 纳米 表面 等离子体 增强 复合 电极 激光 诱导 制备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的