[发明专利]太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2

摘要

本发明涉及纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法，首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜，接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列，之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒，制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法，制备的电子传输层在厚度方向上高度取向，并具有较少的晶界，这能够加速电荷的传输；通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶，能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流，制备的电池的电荷收集效率高。