[发明专利]一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法，所述氮化镓基激光二极管外延结构从下到上依次层叠设有氮化镓单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型限制层和p型GaN层，其中，下波导层为n‑‑Aly2Ga1‑y2N+n‑‑GaN+n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格复合波导层，有源区为非对称掺杂的InGaN/GaN双量子阱结构，上波导层为u‑Inx4Ga1‑x4N/GaN超晶格+u‑GaN+p‑Aly4Ga1‑y4N复合结构。本专利申请通过优化设计氮化镓基激光器高量子效率渐变In组分梯形有源区结构，并进一步设计新型光波导层结构，得到全新的氮化镓基激光二极管外延结构。该氮化镓基激光二极管外延结构用作激光器，进行光泵激射时，半峰宽较窄，光束质量高。