[发明专利]3D NAND中的擦除操作在审
| 申请号： | 202010546458.2 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113223586A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | P.拉布金;金光虎;东谷政昭 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明题为“3D NAND中的擦除操作”。本发明公开了一种用于擦除非易失性存储器系统中的非易失性存储元件的装置。该装置在整个存储器系统的工作温度范围内具有一致的栅极感应漏极泄漏(GIDL)擦除速度。在一个方面，电压源将擦除电压输出到NAND串。NAND串可响应于擦除电压而汲取GIDL擦除电流。给定擦除电压的GIDL擦除电流的量与温度高度相关。可对GIDL擦除电流进行采样，并且基于GIDL擦除电流来调节擦除电压。因此，GIDL擦除电流以及擦除速度可在整个工作温度范围内保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | nand 中的 擦除 操作 | ||
【主权项】：
暂无信息
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