[发明专利]薄膜电阻层制备方法在审
| 申请号： | 202010533987.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113445012A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 邱正中;卢契佑 | 申请（专利权）人： | 光颉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;张德斌 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电阻层制备方法。该方法利用磁控溅镀方法于基板表面形成氮化钽层，再形成五氧化二钽层于氮化钽层上，最后经退火处理以得到具低电阻值变化率的薄膜电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
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