[发明专利]一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010531881.5 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111883367B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴正翠;王相宇;高峰 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/86;H01G11/24 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用；将铜盐、钴盐和六亚甲基四胺溶解于水和甲醇的混合溶剂中，将溶液转移至反应釜中，将泡沫镍倾斜置于溶液中，进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，产物经洗涤、干燥，即可制得Cu掺杂Co(OH) |
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| 搜索关键词： | 一种 cu 掺杂 氢氧化 纳米 阵列 结构 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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