[发明专利]倒序编程的源极侧预充电和升压改进在审
| 申请号： | 202010522130.7 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113299330A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | S·普森瑟玛丹;连佑中;H-Y·曾 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李艳兵 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“倒序编程的源极侧预充电和升压改进”。本公开涉及用于在源极侧预充电期间保持NAND串沟道中的偏置的装置和方法。该装置包括存储器阵列和管芯控制器，该管芯控制器被配置为在程序存储操作期间减少存储器阵列NAND串的沟道中的电势梯度的形成。为此，激活多个源极侧选择栅极，然后激活多个源极侧虚设字线选择栅极中的每个。接着，通过由多个源极侧选择栅极偏置耦接到NAND串的源极线来偏置NAND串沟道。最后，使多个源极侧选择栅极和多个源极侧虚设字线选择栅极放电，使得沟道保持通往源极线的电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 倒序 编程 源极侧预 充电 升压 改进 | ||
【主权项】：
暂无信息
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