[发明专利]一种半导体器件结构在审
| 申请号： | 202010500834.4 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113764553A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构，包括衬底层；第一N型层，位于所述衬底层的上表面；第一P型层，位于所述第一N型层的上表面；第二N型层，位于所述第一P型层的上表面；发光层，位于所述第一P型层与所述第二N型层之间形成的第一PN结处的预设位置上；第二P型层，位于所述第二N型层的上表面；第一电极，位于所述第二P型层的上表面；第二电极，位于所述第一N型层上以形成半导体器件结构。本发明提供的半导体器件结构，通过构建新的发光器件结构扭转了PN结反偏时不会发生电光转化的问题，将反偏PN结处的预设位置内作为发光区域，实现了高效率的电光转换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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