[发明专利]一种基于峰形拟合的逐步逼近刻度γ能谱高能区的方法有效
| 申请号： | 202010487520.5 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111579571B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张迎增;储诚胜;许业文;郭小峰;曾军;向清沛;袁志文;郝樊华;向永春;朱晨;杨圣勤;赵洪涛;张海洋;朱俊 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所;中国人民解放军63983部队 |
| 主分类号： | G01N23/222 | 分类号： | G01N23/222 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 张保朝 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于峰形拟合的逐步逼近刻度γ能谱高能区的方法。本方法逐步采用标准γ源与中子活化特征物质产生的γ射线进行刻度，采用简单能谱刻度低能段，之后使用低能段刻度结果估算高能段峰位置，同时采用峰形拟合方法确定峰中心，不断扩展能量刻度范围，逐步逼近感兴趣的高能段，最终获得感兴趣高能段对应的道址区间。与传统一次活化多样品获得复杂的γ能谱后专业人员识别手动刻度方法相比，本发明的方法提供了一套自适应的流程与算法，实现自动化刻度，减少对操作人员的需求，大大扩展了中子活化分析的应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 拟合 逐步 逼近 刻度 高能 方法 | ||
【主权项】：
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