[发明专利]一种局部光放大的硅基光电子集成芯片及泵浦耦合方法有效
| 申请号： | 202010482132.8 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111694093B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王兴军;周佩奇;王博;何燕冬 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;H04B10/291 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李文清 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种局部光放大的硅基光电子集成芯片及泵浦耦合方法，芯片包括光信号处理器件和传输波导，还包括增益层；增益层为在光信号处理器件上引出至少一根放大波导，在至少一根放大波导上蚀刻槽状结构且在槽状结构中填充增益材料形成的；和/或，在传输波导上蚀刻槽状结构，在槽状结构中填充增益材料形成的。本发明实施例对整个硅基光电子集成芯片中需要光放大的部分进行局部处理，填充增益材料，实现局部高性能的光放大，能有效补偿整个片上系统的传输损耗，为硅基光电子集成芯片引入可靠的片上放大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 放大 光电子 集成 芯片 耦合 方法 | ||
【主权项】：
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