[发明专利]低损耗硅基激光器在审
| 申请号： | 202010465149.2 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111564758A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 杨正霞;吕晨;李亚节;杨文宇;周旭亮;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基激光器，包括：含有V形底部沟槽的SOI图形衬底；外延结构，依次为N型位错限制层、N型缓冲层、N型下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P型上包层、隧道结、N型上包层和N型接触层。本发明使用隧道结的隧穿效应，N型掺杂区域‑隧道结‑P型掺杂区域代替P型掺杂区域，在满足激光器工作电流稳定，粒子数反转的前提下，缩小了P型掺杂区域的体积，可有效降低光场与P型掺杂区域的重叠，减小激光器内部损耗，优化激光器激射性能，进一步推动硅基激光器电泵激射的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 激光器 | ||
【主权项】：
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