[发明专利]钝化层微裂纹的检测方法在审
| 申请号： | 202010462604.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599707A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 金波;曾旭 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种钝化层微裂纹的检测方法，包括将待检测样品浸入腐蚀溶液，腐蚀溶液通过钝化层中的微裂纹进入与微裂纹接触的金属层，腐蚀金属层以形成相对微裂纹较大的、且在光学显微镜下呈黑色的金属腐蚀空洞，由于钝化层在光学显微镜下呈透明状态及尺寸较小而无法观察到的微裂纹，可通过观察金属腐蚀空洞的分布获取。本发明采用的检测方法中腐蚀溶液会进入所有与金属层接触的微裂纹以形成金属腐蚀空洞，相对于现有的剖面观察技术，可以整体反应钝化层中微裂纹的分布情况，且整个检测过程为化学腐蚀过程，不产生新的应力，不会在钝化层中形成新的微裂纹以对检测结果造成干扰，且不需要用到大型昂贵的检测设备，检测方法简单，检测成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 裂纹 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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