[发明专利]单次可程序化位元的形成方法在审
| 申请号： | 202010461119.4 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113724769A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 柯昱州 | 申请（专利权）人： | 珠海南北极科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C11/15;G11C13/00;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单次可程序化位元的形成方法，首先，提供一薄膜存储器装置，其包含至少一个存储器元件与一晶体管，且存储器元件电性串联晶体管。接着，在一交流电流的复数周期中，施加交流电流于存储器元件与晶体管，并限制提供给存储器元件的功率，且导通晶体管，以改变存储器元件的电阻，直到存储器元件的电阻发生不可逆改变为止。本发明利用双极性电流对薄膜存储器装置施压，并限制提供给存储器装置的功率，以达到较低崩溃电压，同时缩小崩溃后的电阻分布范围。 | ||
| 搜索关键词： | 单次可 程序化 位元 形成 方法 | ||
【主权项】：
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