[发明专利]水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010438674.5 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111569963B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周娜;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：步骤1：在衬底上形成图形化的掩膜层；步骤2：以图形化的掩膜层为掩膜，对衬底进行刻蚀形成若干个扇贝状柱；步骤3：利用自限制氧化，在扇贝状柱上形成水平纳米线阵列；步骤4：对衬底的被刻蚀区域进行填充；步骤5：采用湿法腐蚀释放水平纳米线阵列，形成水平纳米通道阵列。本发明提出了一种工艺简单，与集成电路工艺相兼容且适宜批量生产的硅基水平纳米通道阵列制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 纳米 通道 阵列 微纳流控 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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