[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法在审
| 申请号： | 202010423766.6 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN112397589A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 福岛洋一;今本拓也 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶体管及形成晶体管的方法。一些实施例包含具有栅极的晶体管，其中所述栅极在半导体基底之上。所述栅极具有侧壁。沟道区域在所述栅极之下。间隔件沿着所述侧壁。所述间隔件各自包含间隔件结构及所述间隔件与所述栅极之间的空隙。所述间隔件结构各自包含从水平片段向上延伸的垂直片段。所述垂直片段在拐角处接合到所述水平片段。源极/漏极区域邻近所述沟道区域。所述空隙可沿着所述间隔件结构的所述垂直片段的整体，且可围绕所述拐角延伸且延伸到所述间隔件结构的所述水平片段之下。另外或替代地，所述空隙的底部可邻近包含硅、氮、硼及氧的填充材料。一些实施例包含形成晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010423766.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆用驾驶辅助装置
- 下一篇：用于检测乳腺癌的甲基化生物标记物或其组合和应用
- 同类专利
- 专利分类
