[发明专利]聚多巴胺薄膜及其应用、制备非易失性忆阻器和易失性忆阻器的方法有效

专利信息
申请号: 202010419989.5 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN113683885B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 于贵;王华平;姜倩晴;蔡乐 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C08L79/04 分类号: C08L79/04;C08J5/18;B22F1/054;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L45/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘依云;乔雪微
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及薄膜材料技术领域,具体公开一种聚多巴胺薄膜及其应用、制备非易失性忆阻器和易失性忆阻器的方法,本发明中的二维聚多巴胺薄膜制备简单,具有可控的厚度以及良好的均匀性。该均匀二维聚多巴胺薄膜结构在电场的作用下可以实现由无定形向有序结构的转变,并伴随着从高阻态向低阻态的变化。基于这一独特的结构特征,以及大面积均匀二维聚多巴胺薄膜表面固有的丰富羟基与氨基基团,该聚多巴胺薄膜可以应用于非易失性存储器与易失性存储器,并均具有高的开关比和良好的稳定性。
搜索关键词: 多巴胺 薄膜 及其 应用 制备 非易失性忆阻器 和易 失性忆阻器 方法
【主权项】:
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